Параметр | Диапазоны измерения | Погрешность |
---|---|---|
Пост. напряжение | 200 мВ/2 В/20 В/200 В | ±(0.5% + 2) |
1000 В | ±(0.8% + 2) | |
Перем. напряжение | 2 В/20 В/200 В | ±(0.8% + 3) |
750 В | ±(1.2% + 3) | |
Пост. ток | 2 мА/20 мА/200 мА | ±(1.2% + 3) |
20 А | ±(2.0% + 5) | |
Перем. ток | 20 мА/200 мА | ±(1.8% + 5) |
20 А | ±(3.0% + 5) | |
Сопротивление | 200 Ом/2 кОм/20 кОм/200 кОм/2 МОм | ±(0.8% + 3) |
20 МОм | ±(1.0% + 5) | |
200 МОм | ±(6.0% + 10) | |
Ёмкость | 20 нФ/200 нФ/2 мкФ/20 мкФ | ±(4.0% + 3) |
200 мкФ | ±(6.0% + 10) | |
Частота | 20 кГц | ±(2.0% + 5) |
Температура | -20℃~1000℃ | ±(2.0% + 3) |
Диодный тест | Индицируется приближенное значение прямого падения напряжения на диоде | |
"Прозвонка" | При сопротивлении цепи менее 50 Ом включается звуковой сигнал | |
hFE |
Индицируется приближенное значение hFE (0-1000) проверяемого транзистора (любого типа) |
Погрешность определяется как ±(% от показания + число значений единицы младшего разряда).